Now showing items 1-2 of 2

    • Кремниевый фотодиод c профилированным n-i-p переходом для cцинтилляционных устройств 

      Блынский, В. И.; Лемешевская, А. М.; Голуб, Е. С. (БНТУ, 2014)
      В работе рассматривается конструкция и спектральная характеристика кремниевого фотодиода с профилированным n-i-p переходом. Его особенностью является высокая чувствительность в видимой области спектра при относительно низкой чувствительности к инфракрасному излучению.
      2015-03-16
    • Многоэлементный P-I-N фотоприемник для оптической локации 

      Блынский, В. И. (БНТУ, 2015)
      Блынский, В. И. Многоэлементный P-I-N фотоприемник для оптической локации / В. И. Блынский // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 50-51.
      2016-10-04